製品情報
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EMCプローブ
MFA-K 0.1-30(磁界マイクロプローブ)
LANGER EMV-Technik ランガー
  • #EMC (EMI/EMS)
EMCプローブ

MFA-K 0.1-30(磁界マイクロプローブ)

LANGER EMV-Technik ランガー
  • #EMC (EMI/EMS)
タイプ 近傍界マイクロプローブ
サイズ マイクロチップ状
対応周波数帯 1 MHz ~ 1 GHz
コネクタ SMA female, Jack
分解能 200 μm
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製品情報

MFA-K 0.1-30  磁界マイクロ プローブは、動作するために BT 706 バイアス ティーを必要とするアクティブ近傍界マイクロ プローブです。 カップリングクランプの様に機能する非常に小さいプローブ ヘッドを備え、最大 1GHz のRF磁界の測定に適しています。コンポーネント上のIC ピン、微細な導電パス(150μm)での電流測定が可能です。 MFA-K 0.1-12 と同じ基本構造ですが、周波数特性のみ異なります。 特殊なプローブヘッド設計により、隣接する導体で発生する横からの磁力線は検出しません。プローブヘッドのコイルの方向は、黒い点がマークされていますので向きを確認して測定してください。 プローブヘッドにはプリアンプ (9V, 100mA) が内蔵されており、50 Ω のインピーダンスを持つ バイアス ティー BT 706 を介して電力が供給され、BT 706 を介してスペクトラム アナライザまたはオシロスコープに接続できます。Langer社の近傍界マイクロプローブは超コンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 電源ユニットと BT 706は付属します。 また、納品には補正データが含まれます。 補正データを使用して、プローブの出力電圧を磁場または導体を流れる電流のいずれかに変換してください。

Frequency response [dBµV] / [dBµA/m]

H-field correction curve [dBµA/m] / [dBµV]

Current correction curve [dBµA] / [dBµV]